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전자소자 3조(최종)

페이지 정보

작성일 19-06-17 19:30

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_SLIDE_1_
2xxx104381 김현수
2xxx104384 남현진
2xxx104427 이동은
2xxx104456 한재성
2013104417 최재봉
3조
반도체 공定義(정의)

혁신적인

기술 Trend
_SLIDE_2_
CONTENTS
01
Strained silicone technology
02
High K / Metal Gate
03
Wet lithography(Immersion lithography)
04
New structures
_SLIDE_3_
01
Strained silicone technology
_SLIDE_4_
Strained silicone technology
공감마녀의 매직 PPT
01
Strained Silicone 이란

격자구조를 인위적으로 변형시킨 silicone (보다 큰 격자구조 사용)
등장 배경

Ge, GaAs 등의 물질은 높은 이동도를 가짐 -` 고성능 소자
But, 기존의 실리콘 `공정에 적용하기 곤란

-`Strained Silicone을 사용하여 해결!
_SLIDE_5_
Strained silicone technology
공감마녀의 매직 PPT
01
定義(정의)

SiGe layer 위에 실리콘의 얇은 층을 성장시킴.

_SLIDE_6_
Strained silicone technology
공감마녀의 매직 PPT
01
제조 공정

Silicon wafer에 있는 Si 원자를 Ge원자로 치환.

-`Ge원자는 Si원자보다 크기 때문에 원자사이 거리 증가.

-`SiGe층 위 Si원자들은 SiGe와 같은 배열로 구성.

-`원래 Si 원자 배열보다 원자사이의 거리가 증가.
_SLIDE_7_
02
High K Materials
_SLIDE_8_
02
High K Materials
공감마녀의 매직 PPT
High K : 유전율이 높은 물질
반도체 소자의 미세화
-`소자가 …(생략(省略))



설명




전자소자 3조(최종)
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전자소자 3조(최종)

순서






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실험결과/전기전자

다.
REPORT 73(sv75)



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