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[리포트]thin film에 대한 정이와 제조방법 정리

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: 히스테리시스는 물체의 성질이 현재의 상태만으로는 모르므로 과거의 이력이 어떠했는가에 따라 다른 현상을 말하는 것인데 철과 같은 강자성체를 자기장 안에 넣어 자화시키면 자기장을 벗어난 뒤에도 자성이 남아있는 현상을 말한다.
- 얇고 표면적이 크다
: 물체로부터 나오는 열에너지의 손실을 적게 하여 큰 전력을 다룰 수 있따
-인덕턴스가 감소하고 고주파 characteristic(특성)이 좋아진다.
-발광박막같이 고휘도(매우 밝은)의 것을 만들 수 있따
-재료가 적게 들고 소형의 것을 동시에 대량생산할 수 있따

나노박막구조의 종류

단결정 고체 표면에 같은 종류 또는 다른 종류의 금속 원자를 뿌려서 원자층 (atomic layer)를 만들때 그 성장하는 모양이 표면의 종류, 면의 orientation, 증착하는 원자의 종류등에 따라 매우 다른 현상을 보이는데 그 이유는 크게 표면의 원자의 크기와 증착하는 원자의 크기 차이, surface free energy 차이로 볼 수 있따
가장 대표적으로 알려져 있는 성장 모드는 크게 세 가지로 나눌 수 있따

1) Frank-van der Merwe Growth mode
…(투비컨티뉴드 )
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[리포트]thin film에 대한 정이와 제조방법 정리




1. What is a thin film

thin film(박막)이란

박막은 나노미터에서 마이크로미터 두께까지의 범위를 포함하는 얇은 물질 층이라고 할 수 있따 전자기적 반도체 장치와 광학적 코팅은 박막기술의 주된 적용 범위라 할 수 있따 주변에서 쉽게 볼 수 있는 박막기술을 이용해 만든 것은 ‘거울’인데 이것은 빛의 반사를 할 수 있는 유리의 한 쪽 면에 얇은 금속 코팅을 이용해 만든 것이기 때문일것이다

이러한 박막화는
- 전자장치를 작고 가볍게 한다.
-얇고 치밀한 보호막으로, 성능이 뛰어나다.
-자성체 박막은 히스테리시스(hysteresis) 반전의 고속화를 가능하게 한다. 이 현상은 히스테리시스 루프라는 모양의 그래프를 나타나게 되는데 히스테리시스 반전의 고속화라는 것은 이 루프의 기울기가 달라진다는 것이다.

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