달링턴
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작성일 20-06-27 01:45본문
Download : 달링턴.ppt
입력출력파형 및 전압이득 측정(測定)
주어진 기본회로
바이패스 커패시터를 제거한 회로
바이패스 커패시터를 100㎌로 대체한 회로
R6(출력단 저항)을 1㏀으로 대체한 회로
R6(출력단 저항)을 100㏀으로 대체한 회로
Iin, Iout Simulation
실험결과 및 Simulation 결과
직류파라미터
달링턴 증폭회로
공통-이미터 증폭회로
측정(測定)
Simulation
측정(測定)
Simulation
VBE
Q1
0.56V
0.57V
0.70V
0.71V
Q2
0.69V
0.71V
전체
1.25V
1.28V
VB
2.57V
2.62V
2.30V
2.28V
VE
1.31V
1.33V
1.03V
1.57V
VC
9.06V
8.91V
7.71V
7.90V
IB
0.3㎂
0.4㎂
0.04㎃
0.04㎃
IE
5.88㎃
6.08㎃
7.36㎃
7.36㎃
IC
6.13㎃
6.08㎃
7.23㎃
7.23㎃
실험결과 및 Simulation 결과
달링턴 증폭회로
공통 이미터
증폭회로
측…(생략(省略))
달링턴,기타,실험결과
순서
설명
Download : 달링턴.ppt( 59 )
달링턴
실험결과/기타
달링턴
다.
입력출력파형 및 전압이득 측정(測定)
주어진 기본회로
바이패스 커패시터를 제거한 회로
...
목차
실험 title(제목), 동기 및 목적
달링턴쌍 理論(이론)
실험준비물 및 실험절차
실험결과 및 Simulation 결과
달링턴(Darlington)쌍을 이용한 달링턴 증폭회로 실험
실험 동기
실험 목적
달링턴쌍이란
두 개의 transistor를 접속하여 하나의 transistor로 동작 시키는 결합
달링턴 결합
실험준비물 및 실험절차
실험회로
달링턴 증폭회로
공통-이미터 증폭회로
회로 구성
실험준비물 및 실험절차
transistor
Q2N3904 (x2)
저항 100㏀, 56㏀, 47㏀, 10㏀(x2), 1㏀(x2), 220Ω
커패시터100㎌(x3), 47㎌
DC전원장치
함수발생기
오실로스코프
멀티테스터
실험준비물
실험준비물 및 실험절차
직류파라미터 값 측정(測定)
두 회로의 VBE(Q1,Q2,전체), VB, VE, VC, IB, IC, IE 를 측정(測定) 한다.
달링턴 , 달링턴기타실험결과 , 달링턴
목차
실험 title(제목), 동기 및 목적
달링턴쌍 理論(이론)
실험준비물 및 실험절차
실험결과 및 Simulation 결과
달링턴(Darlington)쌍을 이용한 달링턴 증폭회로 실험
실험 동기
실험 목적
달링턴쌍이란
두 개의 transistor를 접속하여 하나의 transistor로 동작 시키는 결합
달링턴 결합
실험준비물 및 실험절차
실험회로
달링턴 증폭회로
공통-이미터 증폭회로
회로 구성
실험준비물 및 실험절차
transistor
Q2N3904 (x2)
저항 100㏀, 56㏀, 47㏀, 10㏀(x2), 1㏀(x2), 220Ω
커패시터100㎌(x3), 47㎌
DC전원장치
함수발생기
오실로스코프
멀티테스터
실험준비물
실험준비물 및 실험절차
직류파라미터 값 측정(測定)
두 회로의 VBE(Q1,Q2,전체), VB, VE, VC, IB, IC, IE 를 측정(測定) 한다.